洁净室工程在静电库仑力的作用下，吸附的粉尘、污物造成元器件增大泄漏或形成短路，使性能受损，成品率和可靠性大大下降。如粉尘粒径>100μm，铝线宽度约100μm，氧化膜厚度在50μm时，最易使产品报废。现在线径更细，氧化膜很薄，粒径很小的尘粒子就会损害元器件，这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装等工艺过程中。半导体，平面显示器，光电子等洁净室，尽管做了很多工作，但洁净室的静电问题仍然影响着生产安全和产品产量，影响着制造成本和效益，影响产品的质量和可靠性。据国外工业专家估计，美国每年由于静电造成产品的损失平均在8-33%，还有人估计美国每年静电对电子工业毁损价值达100亿美元；日本80年代曾对报废的电子产品进行分析，由ESD引起的损失占1/3。我国半导体、平面液晶显示、光电子等都起步较晚，但静电危害也时有发生，成品率较低。而银行、证券公司、机要数据库、监控中心，电力调度室等等，若出现ESD就很容易引起干扰，数据遗失，情形就更严重了。

一般说器件绝缘栅SiO2薄膜的耐压场强是E=（5-10）×106V/cm，如果器件SiO2膜厚度取1000，其器件输入脚施加50V-100V以上的静电压就将会被击穿，而人体带静电超过50V、100V是极平常的。元器件的绝缘氧化膜被击穿，引线被烧断或线间熔断。若人体带上10KV（100PF）的静电荷，触摸器件脚时发生ESD，其向大地瞬间形成脉冲放电电流峰值可达20A（10~100s），不要说高密度，细线径，薄SiO2膜的Lsi、Vlsi，就是一般IC、MOS都会遭受损坏。

ESD引起EMI其电磁波的前后峰较尖，信号强，相当于电路中几伏的能量，频率跨越几MH2甚几百MH2的强大噪声，可能引起元器件损坏，设备和传感器不正常工作，甚至引起设备死机。ESD引起的EMI还会引发错误信号的输入，或发生锁存现象。如无尘室中，将晶圆片的EMIF箱放在钢的手推车上，晶圆片的ESD会通过电感传给手推车，车轮是绝缘的，则EMI的扩散会引起晶圆片处理机死机。